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重大突破！中國電科11所成功研制新型紅外探測短波芯片
來源：新聞中心
發(fā)布時間：2025年07月21日 編輯：新聞中心
近日，中國電科11所焦平面技術(shù)攻關(guān)團(tuán)隊成功研制硅基碲鎘汞p-on-n型紅外短波探測器芯片。
“硅基碲鎘汞紅外探測器典型工作溫度為液氮溫度77開爾文（-196攝氏度），這種低溫工作環(huán)境極大限制了它們的體積、質(zhì)量、功耗、成本的控制，從而限制了紅外探測器的應(yīng)用。”技術(shù)專家表示，11所焦平面技術(shù)攻關(guān)團(tuán)隊持續(xù)攻堅材料及器件關(guān)鍵技術(shù)，制備的新型紅外短波探測器芯片在77開爾文溫度下性能良好。在150開爾文（-123攝氏度）溫度下同樣性能良好。
該項技術(shù)突破解決了制約短波大面陣技術(shù)發(fā)展的難題，為高性能硅基碲鎘汞探測器技術(shù)發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。后續(xù)，技術(shù)攻關(guān)團(tuán)隊將持續(xù)創(chuàng)新突破，進(jìn)一步提升探測器芯片性能，早日實現(xiàn)更高性能紅外探測器芯片的研制。
